Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW

  • SSD
  • chiffré
  • 500 Go
  • interne
  • M.2 2280
  • PCIe 3.0 x4 (NVMe)
  • mémoire tampon : 512 Mo
  • AES 256 bits
  • Pas de pièce disponible

Profitez de performances encore améliorées. Plus rapide que le 970 EVO, le 970 EVO Plus s'appuie sur la technologie avancée V-NAND et l'optimisation de son firmware. Il maximise le potentiel de la bande passante NVMe pour pouvoir traiter des quantités de données inégalées. Le 970 EVO Plus offre une haute capacité dans un format compact ce qui permet à la fois d'augmenter considérablement la capacité de stockage et d'économiser de l'espace pour les autres composants.

Général

Type de périphériqueLecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité500 Go
Cryptage matérielOui
Algorithme de chiffrementAES 256 bits
Type de mémoire flash NAND3 bits par cellule (TLC)
FormatM.2 2280
InterfacePCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon512 Mo
CaractéristiquesPrise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Largeur22.15 mm
Profondeur80.15 mm
Hauteur2.38 mm
Poids8 g

Performances

Endurance SSD300 TB
Débit de transfert interne3500 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko19000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko60000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko480000 IOPS

Fiabilité

Fiabilité MTBF1,500,000 heures

Expansion et connectivité

InterfacesPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatibleM.2 2280

Alimentation

Consommation électrique5.8 Watt (moyenne) ¦ 9 Watt (maximum) ¦ 30 mW (max. veille)

Divers

Normes de conformitéIEEE 1667

Caractéristiques d’environnement

Température minimale de fonctionnement0 °C
Température maximale de fonctionnement70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)1500 g @ 0.5 ms half-sine